【市場行情】

滬深兩市成交額2.91萬億元，較上一個(gè)交易日縮量1.04萬億元。截至收盤，滬指跌0.33%，深成指漲0.41%，創(chuàng)業(yè)板指漲0.56%。半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）午后放量上漲，收漲5.32%。

資料來源：Wind

【上漲因素分析】

1、消息面上，主因臺(tái)積電capex超預(yù)期。臺(tái)積電預(yù)期2026年capex將達(dá)520億~560億美元，2024年僅為409億美元，這意味著27%~37%的增幅。同時(shí)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)未來三年資本開支有望顯著增加。

2、深層次邏輯，是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)與全球算力共振。從全球算力產(chǎn)業(yè)鏈看，臺(tái)積電依然是AI景氣度的錨點(diǎn)。目前英偉達(dá)、博通等海外大廠的計(jì)算芯片依然是靠臺(tái)積電完成制造和封測，cowos產(chǎn)能雖然持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，但是目前依然處在緊缺狀態(tài)。因此，在手機(jī)等傳統(tǒng)下游增長有限的前提之下，臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏超出預(yù)期本身就意味著北美AI未來需求的增長。

更進(jìn)一步，AI浪潮持續(xù)高潮，對全球相關(guān)配件的景氣度有望進(jìn)一步拉動(dòng)。其中，包括運(yùn)力層面的PCB、光模塊等，以及存力方面的HBM、Nand等產(chǎn)品都有進(jìn)一步上調(diào)預(yù)期?？偠灾_(tái)積電的業(yè)績表明北美算力的景氣度高企。

在存儲(chǔ)方面，本輪存儲(chǔ)漲價(jià)源于AI的虹吸。在海外算力日益高漲的同時(shí)，全球存儲(chǔ)行業(yè)都有望進(jìn)入了擴(kuò)產(chǎn)周期。國內(nèi)存儲(chǔ)行業(yè)也吃到了這次存儲(chǔ)漲價(jià)的紅利。且后面兩存上市預(yù)期加強(qiáng)，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備賽道景氣度迅速上行。總結(jié)一下，存儲(chǔ)漲價(jià)是因?yàn)楹Ｍ馑懔?dǎo)致的存儲(chǔ)需求增長過快，而存儲(chǔ)越漲，擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期就越強(qiáng)，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)就越受益。所以半導(dǎo)體設(shè)備現(xiàn)在也開始和海外算力映射了。

【后市展望】

AI的科技浪潮短期內(nèi)很難暫停，存力緊缺有望貫穿2026年。芯片受益于摩爾定律的進(jìn)展，計(jì)算的速度和量都呈現(xiàn)快速增長。但是，這些年來其他賽道的發(fā)展并沒有芯片這么快，比如內(nèi)存就很典型。過去20年處理器性能年均提升55%，而內(nèi)存僅10%。所以，為了滿足芯片計(jì)算的需求，需要為之匹配足夠的存儲(chǔ)。GPU上全用HBM成本又太高，所以英偉達(dá)引入Nand和DDR5應(yīng)該也有成本方面的考量。展望后市，全球計(jì)算芯片有望進(jìn)一步成長，由此帶來的存儲(chǔ)需求增速甚至比芯片本身更快。

半導(dǎo)體設(shè)備具備催化明確優(yōu)點(diǎn)，建議持續(xù)關(guān)注半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）。目前，存儲(chǔ)漲價(jià)持續(xù)超出預(yù)期、兩存上市等事件直接拉動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)期，同時(shí)，目前國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備開始與海外算力共振，美光、閃迪、拉姆研究、應(yīng)用材料等大廠的動(dòng)態(tài)都有望成為催化。截至2026年1月15日，半導(dǎo)體設(shè)備ETF標(biāo)的指數(shù)PETTM為104.92x，位于上市以來84.78%分位。雖然近期漲幅較大，但是歷史分位仍然低于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)等環(huán)節(jié)，仍具有很強(qiáng)的布局性價(jià)比，建議持續(xù)關(guān)注。

資料來源：Wind（截至1月15日）

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