2026-03-24 10:03:51
3月23日,龍圖光罩發(fā)布預案,擬向不超過35名特定對象發(fā)行股票募資不超14.6億元,用于“40nm~28nm半導體掩模版生產線建設項目”,這是其科創(chuàng)板上市后首次再融資。當前40nm—28nm半導體掩模版市場被外企壟斷,項目達產后將形成年產15000片產能,填補國內高端市場空白,項目總投資19.54億元。
每經(jīng)記者|文多 每經(jīng)編輯|魏文藝
3月23日,半導體掩模版企業(yè)龍圖光罩(SH688721,股價38.80元,市值51.80億元)發(fā)布《2026年度向特定對象發(fā)行A股股票預案》,擬向不超過35名(含)特定對象發(fā)行股票,募集資金總額不超過14.6億元,全部用于“40nm—28nm半導體掩模版生產線建設項目”。

圖片來源:龍圖光罩公告
這是龍圖光罩自2024年8月在科創(chuàng)板上市后的首次再融資,旨在突破國內高端掩模版技術瓶頸,填補國內高端光掩模版市場空白。
根據(jù)預案,龍圖光罩本次發(fā)行采取競價發(fā)行方式,定價基準日為發(fā)行期首日,發(fā)行價格不低于定價基準日前20個交易日公司股票交易均價的80%。發(fā)行對象為不超過35名符合中國證監(jiān)會規(guī)定條件的特定投資者,包括證券投資基金管理公司、證券公司、信托公司、財務公司、資產管理公司、保險機構投資者、合格境外機構投資者等,募集資金總額不超過14.6億元。
本次發(fā)行股票數(shù)量不超過本次發(fā)行前公司總股本的30%,即不超過4005萬股(含本數(shù))。募集資金全部用于“40nm—28nm半導體掩模版生產線建設項目”。發(fā)行對象認購的股份自發(fā)行結束之日起6個月內不得轉讓。
本次發(fā)行不會導致公司控制權發(fā)生變化。截至預案公告日,公司共同實際控制人為柯漢奇、葉小龍、張道谷,合計控制公司56.99%股權。以發(fā)行上限計算,發(fā)行后三人合計控制比例將降至43.84%,仍為控股股東。
半導體掩模版是半導體制造中不可或缺的關鍵材料,用于將電路圖形通過光刻工藝轉移到硅晶圓上。掩模版的技術水平直接決定了芯片制造的精度和性能。按照基板材料不同,掩模版可分為石英掩模版與蘇打掩模版,其中石英掩模版用于高精度場景。
當前40nm—28nm半導體掩模版呈現(xiàn)高度集中的壟斷格局,日本Toppan公司、美國Photronics公司、日本DNP公司分食了市場份額。
龍圖光罩作為國內稀缺的獨立第三方半導體掩模版廠商,自2024年8月科創(chuàng)板上市以來不斷增加投入進行技術攻關和產品迭代,半導體掩模版工藝能力從130nm逐步提升至65nm,并已完成40nm工藝節(jié)點的生產設備布局。
但是,40nm—28nm制程是當前國內掩模版企業(yè)技術能力的核心分界線。隨著制程提升,掩模版套刻層數(shù)增加,技術難度呈指數(shù)級增長。例如,臺積電130nm制程節(jié)點需要約30層掩模版,而14nm/10nm則需要約60層。7nm SoC所需掩模版成本約為1500萬美元,占整體成本的2.5%,遠高于16nm/14nm節(jié)點的500萬美元成本。
本次募投項目總投資約19.54億元,擬使用募集資金14.6億元,不足部分由公司自有或自籌資金解決。項目實施主體為龍圖光罩全資子公司珠海市龍圖光罩科技有限公司,項目選址位于珠海市高新區(qū)。需購置的核心設備包括電子束光刻機、干法蝕刻機、無酸清洗設備等。

圖片來源:龍圖光罩公告
項目建設周期為36個月,達產后將形成年產15000片半導體掩模版的產能。
從市場空間來看,2025年全球掩模版市場規(guī)模預計達到60.79億美元,同比增長7%。中國掩模版市場規(guī)模從2017年的9.12億美元增至2022年的15.56億美元,年均復合增長率11.3%。隨著AI、新能源汽車、智能駕駛等新興領域對40nm—28nm芯片需求激增,高端掩模版市場迎來廣闊發(fā)展空間。
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封面圖片來源:每經(jīng)媒資庫
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